[发明专利]一种面向触摸屏电容仿真的多介质预刻画方法有效

专利信息
申请号: 201610237910.0 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN105930572B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 喻文健;徐哲钊;张伯龙 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 代理人: 管莹;张波涛
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种面向触摸屏电容仿真的多介质预刻画方法,其特征在于包括以下步骤:列举多个含两层介质的转移立方体区域的结构配置,对所述结构配置逐个计算其转移概率分布以及相应的权值分布数据,将这些预刻画的数据存入数据库文件中;在对一个特定的触摸屏结构进行电容仿真时,从预计算数据中读取与当前结构的多介质工艺轮廓匹配的数据,在执行随机行走电容计算时,限制每一步跳转所用的转移立方体最多只能包含两层介质,利用线性插值的方法和已读取的多介质预刻画数据得到这个含两层介质的转移立方体的转移概率分布以及相应权值数据,从而实现随机行走的每步跳转。本方法的预刻画过程不依赖于具体的多层介质工艺轮廓信息,面对可能改变的多层介质工艺轮廓和新的电容仿真结构例子,不会再产生额外的介质预刻画计算时间。
搜索关键词: 一种 面向 触摸屏 电容 仿真 介质 刻画 方法
【主权项】:
1.一种面向触摸屏电容仿真的多介质预刻画方法,其特征在于包括以下步骤:1)列举多个含两层介质的转移立方体区域的结构配置,对所述结构配置逐个计算其转移概率分布以及相应的权值分布数据,将所述转移概率分布以及相应的权值分布数据作为预刻画数据,并存储所述预刻画数据;2)在对一个特定的触摸屏结构进行电容仿真时,从预刻画数据中读取与当前结构的多介质工艺轮廓匹配的数据;在执行随机行走电容计算时,限制每一步跳转所用的转移立方体最多只能包含两层介质,利用线性插值的方法和已读取的多介质预刻画数据得到这个含两层介质的转移立方体的转移概率分布以及相应权值数据,从而实现随机行走的每步跳转,其中,所述步骤1)进一步包括下述步骤:(1a)两层介质层转移区域的两层介质的介电常数分别为ε1,ε2,该转移区域的转移概率分布以及相应的权值分布数据只与其对应的介质比r有关,其中介质比r=min(ε1,ε2)/max(ε1,ε2);(1b)令s表示介质比r可取的最小值,即s≤r≤1,在区间[s,1]内对介质比r的值进行采样,采样方法为等步长采样法:设n为采样点的个数,采样步长t=(1‑s)/(n‑1),则采样的介质比为:ri=s+i*t,i=0,1,2,...,n‑1;(1c)分别对介质比为ri的两层介质转移区域进行预刻画,并保存预刻画的数据。
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