[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池

摘要

本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，自下至上依次包括：衬底、背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、i‑ZnO层、透明窗口层、减反射层和栅线电极，衬底位于背电极一面、背电极两面、铜铟镓硒吸收层与背电极接触面的粗糙面相同，铜铟镓硒吸收层另一面均方根粗糙度＜20nm，铜铟镓硒吸收层的最厚厚度≤1μm，缓冲层包括第一Zn(O,S)缓冲层和第二ZnO缓冲层，透明窗口层包括第一石墨烯层、纳米金属层以及第二石墨烯层，减反射层包括第一二氧化硅层、纳米二氧化钛层以及第二二氧化硅层。本发明在粗糙面背电极上制成≤1μm厚铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜另一面均方根粗糙度＜20nm，增加了光在吸收层中所经过的有效光程，在不损失太阳光的利用率的基础上，大幅较少了稀有金属资源的利用，既实现了对太阳光的有效利用，又大幅降低电池的生产成本，具有极其广泛的应用前景。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，自下至上依次包括：衬底、背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、i‑ZnO层、透明窗口层、减反射层和栅线电极，其特征在于：所述衬底位于背电极一面的均方根粗糙度为80‑120nm、所述背电极的两面均方根粗糙度均与位于衬底一面的背电极均方根粗糙度相同、所述铜铟镓硒吸收层与背电极接触的面与背电极面的均方根粗糙度相同、铜铟镓硒吸收层另一面均方根粗糙度为20nm以下，铜铟镓硒吸收层最厚部分的厚度为≤1μm，缓冲层包括第一Zn(O,S)缓冲层和第二ZnO缓冲层，透明窗口层包括第一石墨烯层、纳米金属层以及第二石墨烯层，减反射层包括第一二氧化硅层、纳米二氧化钛层以及第二二氧化硅层。