[发明专利]单片集成的体声波双工器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610238587.9 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN105897216B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 高杨;蔡洵;赵坤丽;黄振华;尹汐漾;赵俊武;韩宾 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H03H9/05 分类号: H03H9/05
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种单片集成的体声波双工器及其制造方法,由发射带通滤波器、接收带通滤波器和移相器构成,其中,发射带通滤波器由彼此互连的至少两个FBAR构成,接收带通滤波器由彼此互连的至少两个FBAR构成,移相器由一个电感器和两个电容器构成,FBAR由底电极、压电层和顶电极构成,电容器由底电极、介电层和顶电极构成,接收带通滤波器、发射带通滤波器和移相器均在同一衬底上制造而成。由于本发明的制造方法可以将发射带通滤波器、接收带通滤波器及移相器集成到一个芯片上,因此能提供满足移动通信设备小型化需求的双工器。
搜索关键词: 单片 集成 声波 双工器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.单片集成的体声波双工器,其特征在于:包括发射带通滤波器、接收带通滤波器和移相器,其中,发射带通滤波器包括至少两个串联的FBAR和至少一个并联的FBAR,或者发射带通滤波器包括至少一个串联的FBAR和至少一个并联的FBAR,接收带通滤波器包括至少两个互连的FBAR,移相器包括一个电感器和分别连接于电感器两端的第一电容器、第二电容器;所述FBAR均至少包括底电极和顶电极,所述电容器包括底电极、介电层和顶电极;所述接收带通滤波器、发射带通滤波器和移相器均在同一衬底上制造而成;所述发射带通滤波器和接收带通滤波器中的FBAR之间通过顶电极引线或底电极引线连通;所述发射带通滤波器、接收带通滤波器与移相器之间,是发射带通滤波器、接收带通滤波器中的FBAR通过顶电极引线与移相器中的电容器、电感器连通实现,并且所述顶电极引线与第一顶电极层通过溅射工艺同时形成,底电极引线与第一底电极层通过溅射工艺同时形成。
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