[发明专利]一种Si-SiC衬底材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610238856.1 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105924170B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王浩;熊圣安;杨小剑 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明是一种Si‑SiC导电衬底材料及其制备方法。该材料是一种由光伏硅切割废料制备的Si‑SiC导电衬底材料，按重量计其组成为：酸洗后的光伏硅切割固体废料65～99.5％、碳化硅0～30％、改性铝粉0.5％～5％。该材料的制备方法是：将酸洗后的废料，碳化硅粉料以及经硅烷偶联剂包裹改性的铝粉进行混料，均匀后，将混合料、水、分散剂、粘结剂、增塑剂等进行球磨混合成浆料，流延成型成薄片，干燥后在氩气保护下烧结，最终得到复合Si‑SiC太阳能导电衬底陶瓷薄片。本发明实现了废料的资源化利用，同时降低了太阳能衬底材料的生产成本，为光伏硅切割废料合成一种具有高附加值产品的有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sic 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si‑SiC导电衬底材料，其特征是一种由光伏硅切割废料制备的Si‑SiC导电衬底材料，按重量计该材料组成为：酸洗后的光伏硅切割固体废料65~99.5%、碳化硅0~30%、改性铝粉0.5%~5%；所述的改性铝粉由以下方法制成：先将有机硅偶联剂WD51和有机硅偶联剂WD60配成为质量分数5%~10%的偶联剂酒精溶液；按铝粉与偶联剂酒精溶液质量比为100:15进行混合；搅拌，使铝粉充分被偶联剂酒精溶液润湿，最后干燥。
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