[发明专利]一种基于光调控的有机自旋存储单元有效
| 申请号： | 201610239469.X | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN105931662B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;林晓阳;郑明阳;孙艳明;江雷 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于光调控的有机自旋存储单元，该存储单元的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁金属层一、有机非铁磁层、铁磁金属层二、顶端电极；所述底端电极，包括金、铂、铜或其他非铁磁金属材料中的一种或多种；所述铁磁金属层一，包括铁、钴、镍、钴铁硼、镍铁、镧锶锰氧、赫斯勒合金或其他铁磁材料中的一种或多种；所述非铁磁有机层材料，包括三(8‑羟基喹啉)铝(Alq3)、α‑六噻吩(6T)或其他光敏有机材料中的一种或多种；所述铁磁金属层二，包括钴、钴铁、钴铁硼、赫斯勒合金或其他铁磁材料中的一种或多种；所述顶端电极，包括金、铂、铜或其他非铁磁金属材料中的一种或多种。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 调控 有机 自旋 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种基于光调控的有机自旋存储单元，其特征在于：该存储单元的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁金属层一、非铁磁有机层、铁磁金属层二及顶端电极；所述底端电极为非铁磁金属材料；所述铁磁金属层一为铁磁材料；所述非铁磁有机层材料为光敏有机材料；所述铁磁金属层二为铁磁材料；所述顶端电极为非铁磁金属材料；通过控制外部光照条件来改变中间非铁磁有机层的能带结构，使量子阱态排布发生变化，使铁磁耦合和反铁磁耦合相互转换，实现单个铁磁电极的磁化翻转，从而改变器件磁阻，分别实现数据“0”和“1”的存储状态的写入；所述外部光照条件包括光照位置。
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