[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610239698.1 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106057872B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 宋在烈;金完敦;玄尚镇;李珍旭;权奇相;高绮亨;明成禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部的至少一部分；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和侧部的至少一部分，所述栅线位于栅极绝缘层上，其中，在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。
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