[发明专利]一种高温薄膜应变计及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610239871.8 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN105908142B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 崔云先;张子超;张启翔;李东明;费继友 申请(专利权)人: 大连交通大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/04;G01B7/16
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 高永德;李洪福
地址: 116028 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种高温薄膜应变计及其制作方法,包括SiO2绝缘薄膜、应变计敏感栅薄膜、敏感栅遮挡薄膜、焊盘遮挡薄膜,所述应变计敏感栅的区域覆盖有敏感栅遮挡薄膜,所述应变计敏感栅以外的区域覆盖有焊盘遮挡薄膜,所述应变计敏感栅为NiCr合金敏感栅,所述敏感栅遮挡薄膜为SiOxNy薄膜,所述焊盘遮挡薄膜为ITO薄膜。本发明采用SiOxNy薄膜作为薄膜应变计的抗氧化保护薄膜,因而延长了薄膜应变计的寿命;ITO薄膜作为焊盘部分的保护膜,有效的提高了薄膜应变计在高温工作环境下的可靠性和寿命;本发明制备的NiCr高温薄膜应变计在600℃范围内其结构、物理性能均不改变,具有良好的应力应变测试性能。
搜索关键词: 一种 高温 薄膜 应变 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种高温薄膜应变计的制作方法,包括以下步骤:步骤1:依次采用无水乙醇、丙酮对合金基板表面进行清洗;步骤2:在经过清洗的铜合基板金的表面制备SiO2绝缘薄膜;步骤3:在已经沉积SiO2绝缘薄膜的铜合金基板上旋涂光刻胶,图形化应变计图形;步骤4:在步骤3的基础上采用磁控溅射的方法制备NiCr功能薄膜,去除光刻胶得到应变计敏感栅薄膜;步骤5:在步骤4形成的图形上旋涂光刻胶,图形化敏感栅遮挡薄膜,磁控溅射SiOxNy薄膜,去除光刻胶,得到敏感栅遮挡薄膜;步骤6:在步骤5形成的图形上旋涂光刻胶,图形化焊盘遮挡薄膜,磁控溅射ITO薄膜,去除光刻胶,得到焊盘遮挡薄膜。
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