[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201610239909.1 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106531729A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 松浦永悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高半导体芯片的层叠构造的接着强度的半导体装置及该半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包括构造体、作为第二半导体芯片的控制器芯片(12)、及作为第三半导体芯片的DRAM芯片(13)。构造体包含作为第一半导体芯片的NAND芯片(11)。构造体设于衬底(10)的第一区域。第二半导体芯片设于衬底(10)的第二区域。第三半导体芯片架设于构造体的上表面与第二半导体芯片的上表面而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：构造体，设于衬底的第一区域，且包含第一半导体芯片；第二半导体芯片，设于所述衬底的第二区域；以及第三半导体芯片，架设于所述构造体的上表面与所述第二半导体芯片的上表面而配置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610239909.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置、检查图案配置方法以及半导体装置的制造方法
- 下一篇：显示装置
- 同类专利
- 专利分类
