[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高对贴合在支撑衬底的晶片从背面侧进行研磨而制造的半导体装置的良率的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含形成步骤、贴合步骤、及薄化步骤这3个步骤。形成步骤是将表面设置着半导体元件的晶片的周缘部去除到从晶片的表面侧起为至少200μm以上的深度为止，在晶片的表面侧周缘形成切口部。贴合步骤是将晶片的表面贴合在支撑衬底。薄化步骤是对晶片从背面侧进行研磨而使晶片薄化至小于200μm的厚度为止。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包含如下步骤：将表面设置着半导体元件的晶片的形成着斜面的周缘部，以与所述斜面的宽度相同的宽度且从所述晶片的表面侧起达到所述晶片的厚度的5分之1以下的深度地进行去除，在所述晶片的表面侧周缘形成切口部；在所述切口部的端部形成槽部，所述槽部从所述晶片的表面侧起达到至少200μm以上且是所述晶片的厚度的4分之1以上的深度，且从所述切口部的内周面侧朝向外侧，沿着所述晶片的外周连续；将所述晶片的表面贴合在支撑衬底；及对所述晶片从背面侧进行研磨而使所述晶片薄化至小于200μm的厚度为止。