[发明专利]半导体装置的制造方法及安装装置有效
| 申请号： | 201610240001.2 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106531648B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 深山真哉;小牟田直幸;渡部博 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够使积层所得的半导体芯片间的连接可靠性提升的半导体装置的制造方法及安装装置。根据实施方式，在间隙运算部(7D)，基于接合头(2)的Z坐标(Z1、Z2)及半导体芯片(P2)的芯片厚度(T)，运算半导体芯片(P1、P2)间的Z轴方向的间隙(G)，且在间隙(G)为规格范围内的情形时，使安装装置持续运转，在间隙(G)为规格范围以外的情形时，使安装装置报警停止。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 安装 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：将利用接合头所拾取的第2半导体芯片积层在第1半导体芯片上，基于将所述第2半导体芯片积层时的所述接合头的垂直坐标，运算所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片的垂直方向的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
