[发明专利]一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201610240036.6 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN105895687B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 周建军;孔月婵;孔岑;郁鑫鑫;张凯;郁元卫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/3065;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO2；(3)定义欧姆接触区域；(4)制备Ni刻蚀阻挡层；(5)刻蚀SiO、超晶格层；(6)去除Ni刻蚀阻挡层；(7)生长AlGaN/GaN异质结；(8)去除SiO2；(9)定义欧姆接触区域；(10)蒸发/剥离/低温退火形成欧姆接触。本发明针对现有GaN HEMT欧姆接触金属形貌差、接触电阻率高等缺点，提出在欧姆接触区域引入超晶格结构解决上述问题，具有(1)接触电阻率低；(2)欧姆接触金属表面形貌质量高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 再生 技术 降低 gan hemt 器件 欧姆 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)、在半绝缘衬底(1)上依次外延生长出高阻缓冲层(2)以及超晶格结构(3)；(2)、在超晶格结构(3)表面生长一层SiO2掩模层(4)；(3)、在SiO2掩模层(4)表面形成欧姆接触区域(5)；(4)、在欧姆接触区域(5)形成Ni刻蚀阻挡层(6)；(5)、利用Ni刻蚀阻挡层(6)作为刻蚀掩模而刻蚀SiO2掩模层(4)及刻蚀超晶格结构(3)，露出高阻缓冲层(2)；(6)、去除Ni刻蚀阻挡层(6)；(7)、在露出的高阻缓冲层(2)区域外延生长AlGaN/GaN异质结(7)；(8)、去除SiO2掩模层(4)；(9)、形成欧姆接触区域(5)；(10)、在欧姆接触区域(5)形成Ti/Al基欧姆接触金属(8)，利用低温合金的方法获得欧姆接触。
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