[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法在审
| 申请号： | 201610240087.9 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106252411A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的保护元件。保护元件的顶部宽于保护元件的底部。半导体器件结构还包括位于保护元件的侧面和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。半导体器件结构还包括电连接至半导体衬底上方的导电部件的导电接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；保护元件，位于所述栅极堆叠件上方，所述保护元件的顶部宽于所述保护元件的底部；间隔元件，位于所述保护元件的侧面和所述栅极堆叠件的侧壁上方；以及导电接触件，电连接至所述半导体衬底上方的导电部件。
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