[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610240258.8 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN105810753A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;野田耕生;坂仓真之;及川欣聪;丸山穗高 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成氧化物半导体层；在氮气或稀有气体气氛中通过第一热处理使所述氧化物半导体层经受脱水或脱氢，使得一部分所述氧化物半导体层变为氧不足的氧化物半导体层；使所述氧化物半导体层经受使用N2O、N2、或Ar的等离子体处理；以及执行所述氧化物半导体层的第二热处理以使所述一部分氧化物半导体层处于氧过量状态。
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