[发明专利]外延生长监控图形及监控方法有效
| 申请号： | 201610242891.0 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105870031B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延生长监控图形，所述外延生长监控图形分为X和Y方向的两组，每组都包含有一封闭的口字型图形，其中X组图形的口字型图形水平方向两外侧均有垂直的外框图形；Y组图形的口字型图形上下两外侧均有水平的外框图形，所述的垂直或水平的外框图形均与口字型图形之间存在间隔。本监控图形可以监控外延生长工艺后导致的图像偏移量。本发明还公开了所述的外延生长监控图形的监控方法。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 监控 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长监控图形，其特征在于：所述外延生长监控图形分为X和Y方向的两组，每组都包含有一封闭的口字型图形，其中X组图形的口字型图形水平方向两外侧均有垂直的外框图形；Y组图形的口字型图形上下两外侧均有水平的外框图形，所述的垂直或水平的外框图形均与口字型图形之间存在间隔；所述的口字型图形的深度为2±0.02μm；所述的外框图形是两平行的线或沟槽，长度为60～80μm，宽为2～2.5μm，高度或深度为2μm；所述的外框图形与中间口字型图形的间距为10～15μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
