[发明专利]用于氮化镓GaN器件的电路系统和方法有效
| 申请号： | 201610244196.8 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107306119B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 冯保良;石晶晶;李在清 | 申请（专利权）人： | 上海诺基亚贝尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/24 | 分类号： | H03F3/24;H03F1/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开的实施例提供了一种用于氮化镓GaN器件的电路系统和和方法。该电路系统包括：负偏压电路，被配置为提供GaN器件的栅极负偏压；漏极开关电路，被配置为接通或断开GaN器件的漏极正电压；以及控制电路，被配置为基于负偏压的提供来控制漏极开关电路，以使得漏极正电压在栅极电压达到负偏压之后接通并且在负偏压完全消失之前断开。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 gan 器件 电路 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于氮化镓GaN器件的电路系统，包括：负偏压电路，被配置为提供所述GaN器件的栅极负偏压；漏极开关电路，被配置为接通或断开所述GaN器件的漏极正电压；以及控制电路，被配置为基于所述负偏压的提供来控制所述漏极开关电路，以使得所述漏极正电压在栅极电压达到所述负偏压之后接通，并且在所述负偏压完全消失之前断开。
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