[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201610244382.1 申请日: 2016-04-19
公开(公告)号: CN106067444A 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 小川雄辉;长冈健辅;小幡翼;伴祐人 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供晶片的加工方法,能够高精度地对形成有层叠了低介电常数绝缘体被膜的功能层的晶片进行分割。一种晶片的加工方法,利用透过基板的波长的激光光线,从晶片的背面侧对与分割预定线对应的功能层与基板的界面的高度进行检测,并以检测出的高度为基准而设定切削刀具的切入量,在基板中形成不到达功能层的具有均匀的厚度的残存部的切削槽,并沿着分割预定线将残存部和功能层切断。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,在该晶片中,在层叠于基板的正面上的功能层中形成有:形成为格子状的多条分割预定线;以及形成在由该分割预定线划分出的多个区域中的器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的步骤:保护部件粘接步骤,在功能层的正面上粘接保护部件;高度记录步骤,利用透过基板的波长的激光光线,一边对卡盘工作台与激光光线在X轴方向上相对地进行加工进给,一边从保持在该卡盘工作台上的晶片的背面侧对与分割预定线对应的功能层与基板的界面的高度位置进行检测,并对分割预定线的X坐标和高度的Z坐标进行记录;切削槽形成步骤,在实施了该高度记录步骤之后,利用卡盘工作台对该保护部件侧进行保持,从基板的背面侧将切削刀具定位在与分割预定线对应的区域中,并对卡盘工作台与切削刀具相对地在X轴方向上进行加工进给,而形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽;以及分割步骤,在实施了该切削槽形成步骤之后,沿着晶片的该切削槽对该残存部进行分割,在该切削槽形成步骤中,根据在该高度记录步骤中记录的X坐标和高度的Z坐标而使切削刀具在Z轴方向上移动,形成不到达功能层的均匀的厚度的残存层。
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