[发明专利]用于切割晶元的方法和设备有效
申请号: | 201610244513.6 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN106067432B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 范·德·斯塔姆·卡雷尔·梅科尔·理查德 | 申请(专利权)人: | 先进科技新加坡有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 艾晶 |
地址: | 新加坡2顺义*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 描述了一种辐射切割晶元的方法,所述方法包括以下步骤:低功率切割两个沟槽,之后高功率切割缝隙。单脉冲辐射束被分裂成第一脉冲辐射束以及第二脉冲辐射束,所述第一脉冲辐射束用于切割至少一个所述沟槽,以及所述第二脉冲辐射束用于切割所述缝隙。当在切割方向上沿着切割道在晶元上切割所述缝隙时,通过所述第一辐射束的前缘以及所述第二辐射束的后缘同时引导所述第一和第二辐射束。为了从相反切割方向切割所述缝隙,从所述单脉冲辐射束分裂出用于开槽的第三脉冲辐射束。 | ||
搜索关键词: | 用于 切割 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种辐射切割晶元的方法,所述方法包括两个切割动作:低功率切割两个沟槽,之后在所述两个沟槽之间高功率切割缝隙,其中将单脉冲辐射束分裂成至少第一和第二脉冲辐射束,以在单程中同时执行所述切割动作的至少两个;其中,在切割方向上沿着切割道在所述晶元上切割所述缝隙,其中所述第一脉冲辐射束用于切割两个所述沟槽以及所述第二脉冲辐射束用于切割所述缝隙,并且其中通过所述第一脉冲辐射束的前缘和所述第二脉冲辐射束的后缘来同时引导所述第一脉冲辐射束和第二脉冲辐射束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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