[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201610244601.6 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN105870169A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;刘广辉;许凯;杜生平;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，属于显示装置技术领域。该薄膜晶体管包括：衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极；有源层设置在所述衬底基板上；栅极绝缘层设置在有源层上，并且栅极绝缘层的长度小于或者等于有源层的长度；栅极设置在栅极绝缘层上，源极和漏极设置在衬底基板上并且分别与有源层的相对的两侧连接；栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸，有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。该薄膜晶体管由于不需要设置过孔即实现了源极和漏极与有源层的连接，因此该薄膜晶体管具有较大的沟道宽长比W/L，从而提高薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极；所述有源层设置在所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，并且所述栅极绝缘层的长度小于或者等于所述有源层的长度；所述栅极设置在所述栅极绝缘层上，所述源极和漏极设置在所述衬底基板上并且分别与所述有源层的相对的两侧连接；所述栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸，所述有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。
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