[发明专利]一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法有效

专利信息
申请号: 201610245059.6 申请日: 2016-04-19
公开(公告)号: CN105906365B 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 袁方利;孙志强 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: C04B38/00 分类号: C04B38/00;C04B35/10;C04B35/628
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋;侯潇潇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法。本发明采用硅溶胶包覆陶瓷颗粒的方法,实现颗粒的表面改性,使难以烧结的陶瓷粉体能够在较低温度下发生表面熔融,促进颗粒间烧结传质,形成高强颈部。典型的制备方法是:将注凝成型试剂,包括有机单体,MBAM,(NH4)2S2O4,TEMED溶解于一定浓度的硅溶胶中,配置为预混液;将原料颗粒放入预混液中,控制pH实现颗粒的包覆;随后将颗粒堆积造孔并置于一定温度下反应聚合固化;最后将生坯进行干燥和低温烧结,得到多孔陶瓷。本发明涉及的低温烧结陶瓷技术,不仅对孔结构不造成损坏,还具有工艺简便的特点,制备的多孔陶瓷可用于高温分离领域。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 制备 多孔 陶瓷 方法
【主权项】:
1.一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配制预混液:注凝成型试剂溶解于一定浓度的硅溶胶中,所述注凝成型试剂,包括有机单体、交联剂、催化剂和引发剂;所述有机单体为丙烯酰胺,交联剂为N,N‑二甲基丙烯酰胺,催化剂为四甲基乙二胺,引发剂为过硫酸铵;所述硅溶胶的浓度为5‑20wt%,有机单体的浓度为2‑20 wt%,交联剂与有机单体质量比为1:30‑1:10,引发剂占有机单体质量分数的3‑10%,催化剂与引发剂的质量比为1:1 ‑ 1:6;(2)颗粒包覆:将原料颗粒加入预混液中,通过调控pH使原料颗粒和硅溶胶带有异种电荷,搅拌实现颗粒的均匀包覆;所述原料颗粒为氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮化铝中的一种或多种;(3)造孔:在液相中将包覆的颗粒进行堆积造孔;(4)注凝成型:调控温度引发聚合反应,经过充分干燥后获得高强度生坯;聚合反应的反应温度为30‑80°C,反应时间为10‑90 min;干燥温度50‑70°C,干燥时间5‑15h;(5)生坯烧结:将生坯烧结,颗粒间形成烧结颈部,孔隙保留形成孔道;烧结温度为1200‑1500°C,烧结时间2‑5h。
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