[发明专利]电流检测电路有效
| 申请号： | 201610245937.4 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106066419B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 五十岚敦史;大塚直央;杉浦正一 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明题为电流检测电路。提供抑制在差动放大电路的输入端子间产生较大的电位差，从而能够防止输入晶体管的劣化的电流检测电路。差动放大电路具备将连接基极和源极的一对PMOS晶体管的源极作为输入端子并用于限制一对PMOS晶体管的栅极－源极间电压的钳位电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 检测 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电流检测电路，具备差动放大电路，所述差动放大电路通过调整控制输出晶体管的电压来控制负载电流，从而生成基于与设置成与所述输出晶体管处于串联关系的电阻器相关联的电压的检测电流，所述电流检测电路通过监视检测电流的值来检测所述负载电流的值，其特征在于，/n所述差动放大电路具备将连接基极和源极的一对PMOS晶体管的源极作为输入端子并用于限制所述一对PMOS晶体管的栅极－源极间电压的钳位电路，/n所述钳位电路由连接栅极和漏极的至少一个MOS晶体管与电阻元件的串联电路构成，/n利用由所述MOS晶体管的漏极－基极间的寄生二极管及所述电阻元件限制漏极电流的所述MOS晶体管的栅极－源极间的电压，来限制所述一对PMOS晶体管的栅极－源极间电压。/n
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