[发明专利]一种提纯回收掺镓铸锭顶料的方法

摘要

本发明公开一种提纯回收掺镓铸锭顶料的方法，包括如下步骤：(1)在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层；(2)在坩埚内装入已打磨清洗干净的掺镓铸锭顶料；(3)将装有掺镓铸锭顶料的坩埚放入铸锭炉中，抽真空，加热，使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化；(4)进入长晶阶段后，调节铸锭炉中控温热电偶的温度、侧部隔热笼向上移动的速率、炉腔压力及氩气流量，使热量向下辐射，从而使熔硅形成竖直向上的温度梯度而自下向上生长；(5)冷却，出炉，开方，切除顶部5%‑10%，即可得到高纯小方锭。实验证明：本发明制作的高纯小方锭杂质少，少子寿命较高，位错密度低。

主权项

一种提纯回收掺镓铸锭顶料的方法，其特征在于：包括有如下步骤：(1) 在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层；(2) 在坩埚内装入已打磨并清洗干净的掺镓铸锭顶料；(3) 将装有掺镓铸锭顶料的坩埚放入铸锭炉中，抽真空，加热，使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化；(4) 进入长晶阶段后，调节铸锭炉中控温热电偶的温度、侧部隔热笼向上移动的速率、炉腔压力及氩气流量，使热量向下辐射，从而使熔硅形成竖直向上的温度梯度而自下向上生长；所述控温热电偶的温度调节范围为1400‑1430℃ ；所述隔热笼向上移动的速率为5‑7mm/h，且隔热笼的最高移动距离为多晶硅锭高度的70‑80%；(5) 冷却，出炉，开方，切除顶部5%‑10%，即可得到高纯小方锭。