[发明专利]一种前馈补偿推挽式运算放大器有效
| 申请号： | 201610246260.6 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105897196B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈忠学;章国豪;李思臻;余凯;黄亮 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H03F1/48 | 分类号： | H03F1/48;H03F3/26 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 刘媖 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种前馈补偿推挽式运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和推挽式结构的前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与推挽式结构的前馈频率补偿电路并联。推挽式结构的前馈频率补偿电路由推挽结构的PMOS管M1a和NMOS管M1b、推挽结构的PMOS管M2a和NMOS管M2b以及提供尾电流的NMOS管M3构成。由于本发明采用推挽式结构的前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 补偿 推挽式 运算放大器 | ||
【主权项】：
1.一种前馈补偿推挽式运算放大器，其特征在于：包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和推挽式结构的前馈频率补偿电路，所述的差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与推挽式结构的前馈频率补偿电路并联；所述的推挽式结构的前馈频率补偿电路由推挽结构的PMOS管M1a和NMOS管M1b、推挽结构的PMOS管M2a和NMOS管M2b以及提供尾电流的NMOS管M3构成，PMOS管M1a的栅极和NMOS管M1b的栅极都与差分第一增益级电路的输入端Vin+电连接，PMOS管M2a的栅极和NMOS管M2b的栅极都与差分第一增益级电路的输入端Vin－电连接，NMOS管M1b的源极与NMOS管M2b的源极都与NMOS管M3的漏极电连接，PMOS管M1a的漏极和NMOS管M1b的漏极相连，并且都与所述差分第二增益级电路中的PMOS管M4和NMOS管M6的共同漏极电连接，PMOS管M2a的漏极和NMOS管M2b的漏极相连，并且都与所述差分第二增益级电路中的PMOS管M5和NMOS管M7的共同漏极电连接；NMOS管M6的源极与NMOS管M7的源极都与NMOS管M8的漏极电连接，NMOS管M8的源极和NMOS管M3的源极电连接GND。
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