[发明专利]一种移动终端的双供应偏置电路

摘要

本发明公开一种移动终端的双供应偏置电路，包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止。本专利降低了电路设计的复杂程度，节省了芯片的面积，降低了制造的成本。

主权项

1.一种移动终端的双供应偏置电路，其特征在于：包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止；所述高电压基准电流偏置电路包括场效应晶体管JFET3和电阻R1，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路包括低压差线性稳压器、场效应晶体管JFET4和电阻R2，低压差线性稳压器、场效应晶体管JFET4和电阻R2依次串接后与串接的场效应晶体管JFET3和电阻R1并联；还包括晶体管BJT1、场效应晶体管JFET5和场效应晶体管JFET6和电感L1，晶体管BJT1和所述的放大管BJT6形成了一个电流镜，使流过晶体管BJT1的电流会等于流过放大管BJT6的电流；所述的场效应晶体管JFET5和场效应晶体管JFET6，用以给晶体管BJT1和所述的放大管BJT6提供基极的电压；所述晶体管BJT1的基极通过电感L1与放大管BJT6的基极连接。