[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201610246389.7 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN105742379B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 龚熠;邱小永;姚春梅;许雪艳 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛新能源开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 313008 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池,所述晶体硅太阳能电池由多个功能层所构成,所述多个功能层分别为依次设置的基板,银导电膜,金属纳米图案层,光电转换半导体层,透明导电膜,抗反射层;所述抗反射层为由氮化铝/氧化硅组成的复合结构;所述金属纳米图案层至少包括两种形态的金属纳米图案区域,所述金属纳米图案区域呈棋盘式分布;所述金属纳米图案层的材料为镍。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述晶体硅太阳能电池由多个功能层所构成,所述多个功能层分别为基板,银导电膜,金属纳米图案层,光电转换半导体层,透明导电膜,抗反射层;所述基板上沉积有所述银导电膜;所述银导电膜上形成有所述金属纳米图案层;所述金属纳米图案层表面上形成有所述光电转换半导体层;所述光电转换半导体层上形成有所述透明导电膜;所述透明导电膜上形成有所述抗反射层;所述抗反射层为由氮化铝/氧化硅组成的复合结构;所述金属纳米图案层至少包括两种形态的金属纳米图案区域,所述金属纳米图案区域呈棋盘式分布;所述金属纳米图案层的材料为镍;所述金属纳米图案区域的形态分别由半球形,圆台形和六棱柱形所组成;所述半球的厚度为25‑35纳米,所述圆台的厚度为20‑30纳米,所述六棱柱的厚度为20‑30纳米;所述氮化铝的厚度为氧化铝的1/5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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