[发明专利]电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201610246809.1 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107305830B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬;梁洁;涂乐义;徐朝阳;杨金全 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法，用以改善半导体处理的均匀性。所述电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极；偏置功率源，施加于所述下电极；阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述上电极或所述侧壁，另一端接地。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 耦合 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；/n上电极，设置在所述顶壁；/n下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；/n射频功率源，施加于所述下电极；/n偏置功率源，施加于所述下电极；/n阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述上电极，另一端接地，所述上电极通过所述阻抗调节装置接地，形成使射频电流通过上电极的第一射频电流路径，所述侧壁直接接地，形成使射频电流通过侧壁的第二射频电流路径；通过所述阻抗调节装置使第一射频电流路径的阻抗可调节，对通过第一、第二射频电流路径的射频电流进行分配；或者，所述阻抗调节装置的一端连接所述侧壁，另一端接地，所述侧壁通过所述阻抗调节装置接地，所述上电极直接接地。/n
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