[发明专利]线性化混频器

摘要

本发明属于混频器技术领域，尤其涉及一种线性化混频器。线性化混频器，包括场效应管混频器，其特征在于：所述的场效应管混频器的本振信号由驱动级产生，所述的驱动级包括本振信号输出端，本振信号输出端呈高阻态。本发明有益效果在于：利用了栅‑源寄生电容（C_gs）的存在很好的控制了V_gs电平的稳定，使R_on恒定，有效地提高了混频器的线性度，使混频后的信号变的更加精确。

主权项

1.线性化混频器，包括场效应管混频器，其特征在于：所述的场效应管混频器的本振信号由驱动极产生，所述的驱动极包括本振信号输出端，本振信号输出端呈高阻态，所述的驱动极包括本振信号输入端、本振信号输出端、第一反相器、第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管，第一反相器的输入端和第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的的栅极耦合到本振信号的输入端，第一反相器的输出耦合到第一PMOS管的栅极，第一PMOS管的源极耦合到电源VDD，第一PMOS管的漏极耦合到第二PMOS管的源端，第一NMOS管的源端接地，第一NMOS管的漏极耦合到第二PMOS管的漏端，第二PMOS管和第一NMOS管共接的漏端连接到本振信号输出端，所述的驱动极包括互补本振信号输出端、第二反相器、第三反相器、第三PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管，第二反相器的输入端连接本振信号输入端，第二反相器的输出端连接第三PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极和第三反相器的输入端，第三反相器的输出端接第三NMOS管的栅极，第三NMOS管的源端接地，第三NMOS管的漏极耦合到第二NMOS管的源极, 第三PMOS管的源端接电源VDD，第三PMOS管的漏极耦合第二NMOS管的漏极，第三PMOS管和第二NMOS管共接的漏极连接互补本振信号输出端，所述混频器包括第四PMOS管和第四NMOS管，第四NMOS管的栅极连接本振信号输出端，第四NMOS管的栅极连接互补本振信号输出端。