[发明专利]差动传输线屏蔽结构有效
申请号: | 201610247241.5 | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN105762136B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 陈锦涛;章国豪;朱晓锐;区力翔;余凯;林俊明 | 申请(专利权)人: | 佛山臻智微芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 刘媖 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于集成电路后端中的屏蔽结构,差动传输线屏蔽结构,包括差动传输线,所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元,所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、连接柱,所述的上层材料设在差动传输线的上方,所述的下层材料设在差动传输线的下方,所述的差动传输线的左右两边设有连接柱,所述的上层材料、下层材料和连接柱构成闭合回路,所述的半导体衬底接地,本发明有益效果在于:能很好的保护差动传输线不受外界线路的电磁干扰,能消除差动传输线的内部电磁干扰,可以通过改变传输线保护单位的密度,调整达到需要的电路性能指标。 | ||
搜索关键词: | 差动 传输线 屏蔽 结构 | ||
【主权项】:
1.差动传输线屏蔽结构,包括差动传输线和半导体衬底,其特征在于:所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元,所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、过孔,所述的上层材料设在差动传输线的上方,所述的下层材料设在差动传输线的下方,所述的差动传输线的左右两边设有过孔,所述的上层材料、下层材料和过孔构成闭合回路,所述的半导体衬底接地,所述的屏蔽单元在差动传输线上等间距设置,所述的上层材料、下层材料由良导体制成。
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