[发明专利]差动传输线屏蔽结构有效

专利信息
申请号: 201610247241.5 申请日: 2016-04-20
公开(公告)号: CN105762136B 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 陈锦涛;章国豪;朱晓锐;区力翔;余凯;林俊明 申请(专利权)人: 佛山臻智微芯科技有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 刘媖
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于集成电路后端中的屏蔽结构,差动传输线屏蔽结构,包括差动传输线,所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元,所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、连接柱,所述的上层材料设在差动传输线的上方,所述的下层材料设在差动传输线的下方,所述的差动传输线的左右两边设有连接柱,所述的上层材料、下层材料和连接柱构成闭合回路,所述的半导体衬底接地,本发明有益效果在于:能很好的保护差动传输线不受外界线路的电磁干扰,能消除差动传输线的内部电磁干扰,可以通过改变传输线保护单位的密度,调整达到需要的电路性能指标。
搜索关键词: 差动 传输线 屏蔽 结构
【主权项】:
1.差动传输线屏蔽结构,包括差动传输线和半导体衬底,其特征在于:所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元,所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、过孔,所述的上层材料设在差动传输线的上方,所述的下层材料设在差动传输线的下方,所述的差动传输线的左右两边设有过孔,所述的上层材料、下层材料和过孔构成闭合回路,所述的半导体衬底接地,所述的屏蔽单元在差动传输线上等间距设置,所述的上层材料、下层材料由良导体制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山臻智微芯科技有限公司,未经佛山臻智微芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610247241.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top