[发明专利]高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法有效
申请号: | 201610247561.0 | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN105810591B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 郑欣;刘林杰;吴亚光;丁飞;任才华;陈军伟;张义政;白洪波 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/053 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 王占华 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法,涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述方法包括如下步骤:制备生瓷带料;用打孔设备在裁切好的生瓷带料上需要打孔和形成腔体的位置进行打孔并形成腔体;在生瓷片表面和侧壁相应位置通过丝网印刷方法印制需要的金属化图形;在形成的腔体内部填入牺牲材料;对叠片后的生瓷片进行层压处理,通过工艺参数调整控制层间致密度和腔体形状;将制备出的生瓷件进行烧结处理,在生瓷件烧结过程中,牺牲材料烧失,制备出具有封闭腔结构的陶瓷件。通过所述方法制备的陶瓷件的封闭腔体内部具有良好的形貌,并通过在封闭腔底部侧面布线的方式,满足更高频率的信号传输要求。 | ||
搜索关键词: | 高频 高速 陶瓷封装 外壳 封闭 结构 陶瓷 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)制备生瓷带料,并将生瓷带料裁切成若干个固定尺寸的生瓷片;2)用打孔设备在裁切好的生瓷带料上需要打孔和形成腔体的位置进行打孔并形成腔体;3)在生瓷片表面和侧壁相应位置通过丝网印刷方法印制需要的金属化图形;4)首先在形成的腔体内部填入牺牲材料,然后对上述生瓷件进行叠片处理,将具有牺牲材料的腔体封闭;5)对叠片后的生瓷片进行层压处理,通过工艺参数调整控制层间致密度和腔体形状;6)将制备出的生瓷件进行烧结处理,在生瓷件烧结过程中,牺牲材料烧失,制备出具有封闭腔结构的陶瓷件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造