[发明专利]使用两个多晶硅沉积步骤来形成三栅极非易失性闪存单元对的方法

摘要

本发明提供了一种用于使用两次多晶硅沉积形成非易失性存储器单元对的简化方法。在第一多晶硅沉积工艺中，在半导体衬底上形成第一多晶硅层，并将所述第一多晶硅层与所述半导体衬底绝缘。在所述第一多晶硅层上形成一对间隔开的绝缘块。将所述第一多晶硅层的暴露部分移除，同时保持所述第一多晶硅层的各自被设置在所述一对绝缘块中的一个绝缘块下方的一对多晶硅块。在第二多晶硅沉积工艺中，在所述衬底和所述一对绝缘块上方形成第二多晶硅层。在保持第一多晶硅块(设置在所述第一对绝缘块之间)、第二多晶硅块(设置成与一个绝缘块的外侧相邻)和第三多晶硅块(设置成与另一绝缘块的外侧相邻)的同时，将所述第二多晶硅层的部分移除。

主权项

一种形成一对非易失性存储器单元的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层；在第一多晶硅沉积工艺中，在所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成一对间隔开的绝缘块，每一个所述绝缘块具有面朝彼此的第一侧和背对彼此的第二侧；在保持所述第一多晶硅层的被设置在所述一对绝缘块下方以及所述一对绝缘块之间的部分的同时，将所述第一多晶硅层的部分移除；形成与所述第一侧相邻并且在所述第一多晶硅层的设置在所述一对绝缘块之间的部分上方的一对间隔开的绝缘间隔物；将所述第一多晶硅层的设置在所述绝缘间隔物之间的部分移除，同时保持所述第一多晶硅层的各自被设置在所述一对绝缘块中的一个绝缘块和所述一对绝缘间隔物中的一个绝缘间隔物下方的一对多晶硅块；在所述衬底中且在所述一对绝缘块之间形成源极区域；将所述一对绝缘间隔物移除；形成至少沿着所述一对多晶硅块中每个多晶硅块的端部延伸的绝缘材料；在第二多晶硅沉积工艺中，在所述衬底和所述一对绝缘块上方形成第二多晶硅层；在保持所述第二多晶硅层的第一多晶硅块、第二多晶硅块和第三多晶硅块的同时，将所述第二多晶硅层的部分移除，其中：所述第一多晶硅块被设置在所述一对绝缘块之间以及所述源极区域上方，所述第二多晶硅块被设置成与所述绝缘块中的一个绝缘块的所述第二侧相邻，并且所述第三多晶硅块被设置成与所述绝缘块中的另一绝缘块的所述第二侧相邻；在所述衬底中并与所述第二多晶硅块相邻形成第一漏极区域；以及在所述衬底中并与所述第三多晶硅块相邻形成第二漏极区域。