[发明专利]通过外延生长制造半导体装置

摘要

一种制造半导体装置的方法被提供。该方法包括：提供具有一表面的半导体衬底；在该表面上沿垂直于该表面的竖直方向外延生长出背侧发射层，其中，背侧发射层具有第一导电类型的掺杂物或与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物；在背侧发射层上方沿着竖直方向外延生长出漂移层，漂移层具有第一导电类型的掺杂物，其中，背侧发射层的掺杂物浓度高于漂移层的掺杂物浓度；并且在漂移层内或在漂移层的顶部上形成体区域，体区域具有第二导电类型的掺杂物，体区域与漂移层之间的过渡形成PN结。外延生长出漂移层包括：在漂移层内形成第一导电类型的掺杂物沿着竖直方向的掺杂物浓度走向，掺杂物浓度走向为第一导电类型掺杂物的浓度沿竖直方向的变化。

主权项

一种制造半导体装置(1)的方法(2)，所述方法(2)包括：‑提供(20)具有一表面(40)的半导体衬底(4)；‑在所述表面(40)的顶部上沿着垂直于所述表面(40)的竖直方向(Z)外延生长出(21)背侧发射层(125)，其中，所述背侧发射层(125)具有第一导电类型的掺杂物或与所述第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物；‑在所述背侧发射层(125)上方沿着所述竖直方向(Z)外延生长出(23)漂移层(123)，所述漂移层(123)具有所述第一导电类型的掺杂物，其中，所述背侧发射层(125)的掺杂物浓度高于所述漂移层(123)的掺杂物浓度；并且‑在所述漂移层(123)内或在所述漂移层(123)的顶部上形成(24)体区域(124)，所述体区域(124)具有所述第二导电类型的掺杂物，所述体区域(124)与所述漂移层(123)之间的过渡形成PN结(Zpn)；其中，外延生长出(23)所述漂移层(123)包括：在所述漂移层(123)内形成所述第一导电类型的掺杂物沿着所述竖直方向(Z)的掺杂物浓度走向(P)，所述掺杂物浓度走向(P)为所述第一导电类型的掺杂物的浓度沿着所述竖直方向(Z)的变化。