[发明专利]蚀刻有机膜的方法有效
| 申请号： | 201610247871.2 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106067417B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李忠钟;胜沼隆幸;本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 有机 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对被处理体的有机膜进行蚀刻的方法，该被处理体在该有机膜上具有硬质掩模，所述方法的特征在于，包括：在收容有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体，使从所述硬质掩模露出的所述有机膜的一部分区域变化为改性区域的步骤；在所述处理容器内中生成碳化氢气体的等离子体的步骤；和在所述处理容器内生成稀有气体的等离子体，将所述改性区域除去，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在所述硬质掩模的表面上的步骤，所述方法交替地反复进行生成处理气体的等离子体的所述步骤、生成碳化氢气体的等离子体的所述步骤和生成稀有气体的等离子体的所述步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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