[发明专利]一种Cu(II)‑Co(II)混金属配位聚合物、其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201610248008.9 申请日: 2016-04-20
公开(公告)号: CN105801632B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 刘春森;方少明;陈敏;杜淼;徐文明 申请(专利权)人: 郑州轻工业学院
主分类号: C07F19/00 分类号: C07F19/00;H01F1/42
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 代理人: 王锋
地址: 450000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种Cu(II)‑Co(II)混金属配位聚合物、其制备方法与应用。所述Cu(II)‑Co(II)混金属配位聚合物的化学式为[Cu0.9Co1.6(btc)2(triazole)(H2O)2](H2O),所述配位聚合物结晶于三斜晶系(Triclinic),空间群为P‑1,晶胞参数为α=109.953(9)°、β=91.046(9)°、γ=111.540(10)°、本发明的Cu(II)‑Co(II)混金属配位聚合物具有较强的磁相互作用,在磁性材料方面具有潜在应用价值;同时本发明的Cu(II)‑Co(II)混金属配位聚合物的制备方法简单,条件易控。
搜索关键词: 一种 cu ii co 金属 配位聚合 制备 方法 应用
【主权项】:
一种Cu(II)‑Co(II)混金属配位聚合物,其特征在于:所述配位聚合物的化学式为[Cu0.9Co1.6(btc)2(triazole)(H2O)2](H2O),所述btc为均苯三甲酸阴离子配体,triazole为1,2,4‑三氮唑阴离子配体,其中btc具有下式(1)所示结构,triazole具有下式(2)所示结构:所述配位聚合物结晶于三斜晶系,空间群为P‑1,晶胞参数为α=109.953(9)°,β=91.046(9)°,γ=111.540(10)°,
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