[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本公开涉及在同一基板上具有两种不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，以及使用该薄膜晶体管基板的显示器。本公开提出一种薄膜晶体管基板，包括：基板；第一薄膜晶体管，其设置在基板上并且包括多晶半导体层、第一源电极、第一漏电极、以及在多晶半导体层上的第一栅电极；第二薄膜晶体管，其设置在基板上并且包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极、以及在第二栅电极上的氧化物半导体层；中间绝缘层，其设置在第一栅电极和第二栅电极上并且在氧化物半导体层下；以及虚拟层，其具有与氧化物半导体层相同的材料并且设置在第一源电极与中间绝缘层之间以及在第一漏电极与中间绝缘层之间。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，包括：基板；第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述基板上并且包含多晶半导体材料；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层；第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述栅极绝缘层上并且与所述第一半导体层交叠；第二栅电极，所述第二栅电极设置在所述栅极绝缘层上；中间绝缘层，所述中间绝缘层覆盖所述第一栅电极；第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述中间绝缘层上，所述第二半导体层包含氧化物半导体材料并且与所述第二栅电极交叠；第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极设置在所述中间绝缘层上，并且包括具有在所述第一源电极和所述第一漏电极下的所述氧化物半导体材料的虚拟层，所述虚拟层与所述第二半导体层处于相同的层；第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极设置在所述第二半导体层上；其中所述中间绝缘层包括：第一中间绝缘层和第二中间绝缘层，其中所述第一中间绝缘层设置在所述第一栅电极上，所述第一中间绝缘层包含硅氮化物并具有氢粒子；其中所述第二栅电极设置在所述第一中间绝缘层上；以及其中所述第二中间绝缘层设置在所述第二栅电极上并且覆盖所述第二栅电极，所述第二中间绝缘层包含硅氧化物且不具有氢粒子。