[发明专利]反熔丝型一次编程的记忆胞及其相关的阵列结构

摘要

一种反熔丝型一次编程的记忆胞及其相关的阵列结构。该记忆胞具有以下的结构。形成于一井区的一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区与一第四掺杂区。一栅极氧化层，覆盖于该井区的该表面。一第一栅极，形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第一栅极连接至一字线。一第二栅极，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第二栅极连接至一反熔丝控制线。一第三栅极，形成于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第三栅极连接至一隔离控制线。

主权项

1.一种反熔丝型一次编程的记忆胞，包括：井区；第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与第四掺杂区，形成于该井区的表面；栅极氧化层，覆盖于该井区的该表面；第一栅极，形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第一栅极连接至字线；第二栅极，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第二栅极连接至反熔丝控制线；第三栅极，形成于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该栅极氧化层上，其中该第三栅极连接至隔离控制线；以及第一金属层，经由穿透洞连接至该第一掺杂区，且该第一金属层为位线。