[发明专利]一种金属-硫属半导体材料、其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201610250033.0 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105923612A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 何佳清;谢晓滨;林京洋;冯丹 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯潇潇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属‑硫属半导体材料、其制备方法和用途，该金属‑硫属半导体材料包括金属‑硫属半导体晶体，金属‑硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1‑100纳米，金属‑硫属半导体晶体为纳米片或纳米立方体，纳米片具有原子级厚度，纳米立方体暴露晶面为{100}晶面。所述金属‑硫属半导体材料属于纳米半导体晶体材料，粒径均一，形貌及大小可控，性能好，其制备方法所需的原料物种较少，反应条件温和，产率高，适于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体材料 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种金属‑硫属半导体材料，包括金属‑硫属半导体晶体，其特征在于，所述金属‑硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1‑100纳米，所述金属‑硫属半导体晶体为纳米片或纳米立方体，所述纳米片具有原子级厚度，所述纳米立方体暴露晶面为{100}晶面。
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