[发明专利]超接面半导体组件有效
| 申请号： | 201610250234.0 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107305910B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 唐松年;陈和泰;许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 11446 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王月春;武玉琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种超接面半导体组件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、轻掺杂区、绝缘层及主环形场板。漂移层具有多个n型掺杂区及多个p型掺杂区，多个n型掺杂区与多个p型掺杂区交替地排列形成超接面结构。漂移层定义一组件区及围绕组件区的一终端区。轻掺杂区位于漂移层内部并连接表面，且轻掺杂区具有一靠近组件区的第一末端部及一远离组件区的第二末端部。绝缘层设置于表面上，并至少覆盖终端区。主环形场板设置于绝缘层上，其中主环形场板覆盖第二末端部。 | ||
| 搜索关键词： | 超接面 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种超接面半导体组件，其特征在于，所述超接面半导体组件包括：一基板；/n一漂移层，设置于所述基板上，并具有相反于所述基板的一表面，其中所述漂移层内部具有多个n型掺杂区及多个p型掺杂区，多个所述n型掺杂区与多个所述p型掺杂区由所述表面朝所述基板的方向延伸并交替地排列，形成一超接面结构，其中所述漂移层定义一组件区及围绕所述组件区的一终端区；/n至少一位于所述组件区内的晶体管结构，其中，所述晶体管结构包括设置在所述漂移层上的一源极层；/n一轻掺杂区，位于所述漂移层内部并连接所述表面，且所述轻掺杂区具有一靠近所述组件区的第一末端部及一远离所述组件区的第二末端部；一绝缘层，设置于所述表面上覆盖所述终端区；以及/n一主环形场板，设置于所述绝缘层上，使所述主环形场板覆盖所述第二末端部，/n其中，所述源极层与所述主环形场板相互隔离且上下不重叠。/n
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