[发明专利]金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法在审
| 申请号： | 201610250240.6 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105870196A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典隆;太田将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;H01L21/02;H01L21/66;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于 |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：栅电极，氧化物半导体膜，其隔着绝缘膜而具有与所述栅电极重叠的区域，和所述栅电极上、所述绝缘膜上、和所述氧化物半导体膜上的氧化物绝缘膜，所述氧化物半导体膜具有铟、镓、和锌，所述氧化物半导体膜具有晶体部，所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，所述氧化物半导体膜具有在XRD测定中未观察到起因于所述晶体部的峰值的区域，所述氧化物绝缘膜在热脱附谱中，所换算成氧原子的氧释放量大于或等于1.0×1018 原子/cm3 ，对所述氧化物半导体膜照射收敛至
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