[发明专利]阻挡介质层的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610250432.7 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105914145B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻挡介质层的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属层、阻挡介质层、氧化介质层和光刻胶层，所述光刻胶层内形成有光刻胶开口；对所述光刻胶开口的形貌进行调整，形成具有倾斜角度的光刻胶开口；沿所述具有倾斜角度的光刻胶开口对下方的氧化介质层进行刻蚀工艺，在氧化介质层内形成氧化介质层开口；去除氧化介质层上方残留的光刻胶层；以所述氧化介质层为掩膜，沿所述氧化介质层开口对阻挡介质层进行刻蚀工艺，在阻挡介质层内形成阻挡介质层开口，露出下方的金属层，所述阻挡介质层开口具有倾斜角度。本发明的阻挡介质层的刻蚀方法，使得阻挡介质层的倾斜角度的调整范围增大。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 介质 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属层、阻挡介质层、氧化介质层和光刻胶层，所述光刻胶层内形成有光刻胶开口，所述光刻胶开口露出下方的氧化介质层；采用干法刻蚀工艺对所述光刻胶开口的形貌进行调整，形成具有倾斜角度的光刻胶开口，所述光刻胶开口的倾斜角度范围为75‑82度；沿所述具有倾斜角度的光刻胶开口对下方的氧化介质层进行刻蚀工艺，在氧化介质层内形成氧化介质层开口，所述氧化介质层开口露出下方的阻挡介质层，所述氧化介质层开口具有倾斜角度；去除氧化介质层上方残留的光刻胶层；以所述氧化介质层为掩膜，沿所述氧化介质层开口对阻挡介质层进行刻蚀工艺，在阻挡介质层内形成阻挡介质层开口，露出下方的金属层，所述阻挡介质层开口具有倾斜角度，其中，所述干法刻蚀工艺采用氧气和氮气的混合气体进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
