[发明专利]一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610250456.2 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105679821B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王颖;曹菲;王艳福;于成浩 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层；其中，所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置，栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟道这样可以增强栅极和沟道的耦合，从而增强栅极的控制能力进而增加器件的隧穿电流。该结构的另一个特征就是将沟道的本征区(低掺杂区)延伸到了漏极区。总之，该结构器件相对于传统的隧穿晶体管在亚阈值摆幅、开关电流比等电学特性以及稳定性方面都有较明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 沟道 凹槽 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管，特征在于：包括栅极(1)、源区(2)、漏区(3)、第一沟道区(4a)、第二沟道区(4b)、栅介质层(5)、第一隔离层(6)以及埋氧层(7)；所述的栅极(1)下方设有栅介质层(5)，栅极(1)与栅介质层(5)位于第一沟道区(4a)上，第一隔离层(6)将栅极(1)与源区(2)隔离开，第二隔离层(8)将栅极(1)与漏区(3)隔离开；第一隔离层(6)和第二隔离层(8)的厚度不小于栅介质层(5)的厚度；第二沟道区(4b)设置在漏区(3)的下方，源区(2)、第一沟道区(4a)、第二沟道区(4b)设置在埋氧层(7)上；其中第二沟道区(4b)的厚度不小于第一沟道区(4a)且不大于源区(2)的厚度。
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