[发明专利]通过原位刻蚀监控实现P型氮化物增强型HEMT的方法及系统

摘要

本发明公开了一种监控原位刻蚀P型半导体HEMT器件的方法及系统。在本发明的一典型实施案例中，通过将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在等离子体中，并将镀有电极的陪片放置在刻蚀设备内的、与所述样品等效的刻蚀位置，使得所述样品上的刻蚀速率与陪片上的刻蚀速率相同，因此可以通过陪片上两个电极之间电流的变化监测样品上P型半导体的刻蚀情况，之后将得到的电流信号输入到计算机，并以计算机控制刻蚀条件，即可以实现可控、精确及带有反馈的刻蚀工艺。本发明有效的解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度所导致的诸多缺陷，可以高精度及高重复性的实现P型盖帽层增强型HEMT器件的制备。

主权项

1.一种通过原位刻蚀监控实现P型氮化物增强型HEMT的方法，其特征在于包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，以保证刻蚀样品与陪片处于相同的刻蚀条件下，所述陪片具有与所述刻蚀样品相同的外延结构，并且所述陪片具有两个电极，该两个电极通过所述陪片内的二维电子气电连接；使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间的电流变化实现对所述刻蚀样品的刻蚀监控，并相应的实时调整刻蚀条件，从而实现P型氮化物增强型HEMT器件的精确可控的制备。