[发明专利]使用基于碳的膜的间隙填充在审
| 申请号： | 201610251266.2 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106067440A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 唐伟;杰森·达恩金·帕克;巴特·J·范施兰芬迪杰克;王舒济;卡伊翰·艾比迪·艾施提阿妮 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种使用基于碳的膜的间隙填充。提供了使用高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)填充间隙的方法。根据多个实施方案，通过HDP CVD将诸如无定形碳和无定形碳化物膜之类的含碳膜沉积到衬底上的间隙内以填充间隙。这些方法可涉及在HDP CVD期间使用高氢含量的工艺气体来提供自底向上的填充。此外，还提供了相关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 基于 间隙 填充 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：引入工艺气体到容纳具有间隙的衬底的高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)室，其中所述工艺气体包括烃类反应物并且具有至少4:1的H:C比；以及通过所述工艺气体的HDP CVD反应来用基于碳的膜填充所述间隙。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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