[发明专利]一种富缺陷的钴镶嵌碳纳米管、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201610251267.7 申请日: 2016-04-21
公开(公告)号: CN105833871B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 邹佳运;李金华;郭俊辉;李国栋 申请(专利权)人: 长春吉大附中实验学校
主分类号: B01J23/75 分类号: B01J23/75;C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 刘世纯;王恩远
地址: 130021 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种富缺陷的钴镶嵌碳纳米管、制备方法及其在电催化水裂解制氢方面的应用,属于碳纳米管合成及电催化技术领域。是将钴镶嵌碳纳米管真空加热活化,即可得到富缺陷的钴镶嵌碳纳米管。真空加热活化的温度为300~1000℃,真空加热活化的真空度为1~10Pa。所得到的碳纳米管既能在催化环境中保持长时间的稳定,又具有高效的电催化裂解水制氢性能:其在酸性条件下催化制氢的起始过电势为100mV,并且能够在过电势为174mV时,达到10mA/cm2的电流密度。
搜索关键词: 碳纳米管 真空加热 电催化 镶嵌 活化 过电势 制备 催化环境 催化制氢 酸性条件 水裂解 水制氢 裂解 制氢 应用 合成
【主权项】:
一种富缺陷的钴镶嵌碳纳米管的制备方法,其特征在于:将0.1g硝酸钴和0.2g双氰胺研磨均匀,将研磨后的样品以氮气为保护气,以3℃/min的速率升温至700℃,并在该温度下煅烧3h,得到钴镶嵌碳纳米管前驱体;再将钴镶嵌碳纳米管前驱体真空加热活化,即得到富缺陷的钴镶嵌碳纳米管;真空加热活化的温度为300~500℃或700~1000℃,真空度为1~10Pa,活化的时间为2小时。
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