[发明专利]一种检验光刻对准精度的方法在审
| 申请号： | 201610251748.8 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107305321A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 冯奎;张宏伟;陆道亮;高志攀;李佳园 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检验光刻对准精度的方法，包括对器件中的下层图形光刻时，仅将第一对准标记的位于X方向的图形曝光出来；对器件中的下层图形中的子图形光刻时，仅将第二对准标记的位于与X方向垂直的Y方向的图形曝光出来；对器件中的上层图形光刻时，将第三对准标记的位于X方向的图形和位于Y方向的图形全部曝光出来；光刻后实施叠加量测时，通过第一对准标记的位于X方向的图形和第三对准标记的位于X方向的图形来监控X方向的偏移误差，通过第一对准标记的位于Y方向的图形和第三对准标记的位于Y方向的图形来监控Y方向的偏移误差。根据本发明，可以节省对于光刻操作站点的50％的叠加量测工具需求，加快实施光刻时晶圆的移动速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检验 光刻 对准 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种检验光刻对准精度的方法，包括：对器件中的下层图形光刻时，仅将第一对准标记的位于X方向的图形曝光出来；对所述器件中的下层图形中的子图形光刻时，仅将第二对准标记的位于与所述X方向垂直的Y方向的图形曝光出来；对所述器件中的上层图形光刻时，将第三对准标记的位于所述X方向的图形和位于所述Y方向的图形全部曝光出来；所述光刻后实施叠加量测时，通过所述第一对准标记的位于X方向的图形和所述第三对准标记的位于X方向的图形来监控所述X方向的偏移误差，通过所述第一对准标记的位于Y方向的图形和所述第三对准标记的位于Y方向的图形来监控所述Y方向的偏移误差。
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