[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610252147.9 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106067794B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 豊田久志;山崎幸一;新井耕一;关达弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/042 | 分类号： | H03K17/042;H03K17/16;H03K17/687;H01L29/78;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李罡;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接，从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的常开型的结型FET；以及具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的常闭型的MOSFET，所述第一源电极与所述第二漏电极进行电连接，从而所述结型FET与所述MOSFET串联地连接，所述第一栅电极与所述第二栅电极进行电连接。
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