[发明专利]一种双极型阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610252403.4 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105895800B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;赵晓龙;刘明;刘森;龙世兵;吕杭炳;卢年端;王艳;张康玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介质层上的上电极；所述整流功能层由Al2O3、TiO2与MgO中的一种或多种形成。与现有技术相比，本发明提供的双极型阻变存储器中的整流功能层可起到隧穿整流的作用，实现双向整流作用，也能够有效抑制阻变存储器阵列中相邻单元之间的串扰误读现象；同时由于石墨烯层的存在，器件性能得到改善，reset电流减小，反应速度提高，功耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型阻变存储器，其特征在于，包括：衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介质层上的上电极；所述整流功能层由Al2O3、TiO2与MgO中的一种或多种形成。
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