[发明专利]一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺在审
| 申请号： | 201610253584.2 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870007A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 任华;汪耀祖 | 申请（专利权）人： | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏;胡寅旭 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺，包括以下步骤：（1）将已完成正面器件工艺加工的III‑V族砷化镓半导体基片正面朝下粘附在蓝宝石载体上进行机械减薄及化学湿法刻蚀；（2）利用旋涂法在III‑V族砷化镓半导体基片背面涂上光刻胶并进行固化热处理形成光刻胶掩膜；（3）在光刻胶光刻仪上进行曝光后进行显影，将设计的背孔图形转移复印在III‑V族砷化镓背面的光刻胶掩膜上；（4）利用Plasma‑Therm的Versalock 电感耦合等离子体干法刻蚀机进行背孔刻蚀，之后去除光刻胶并进行表面清洁处理。本发明能有效提高刻蚀背孔质量，同时能大幅提高刻蚀速率以迅速提高产能，适合大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电感 耦合 等离子体 刻蚀 砷化镓背孔 工艺 | ||
【主权项】：
一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）将已完成正面器件工艺加工的III‑V族砷化镓半导体基片正面朝下粘附在蓝宝石载体上进行机械减薄及化学湿法刻蚀；（2）利用旋涂法在III‑V族砷化镓半导体基片背面涂上光刻胶并进行固化热处理形成光刻胶掩膜；（3）在光刻胶光刻仪上进行曝光后进行显影，将设计的背孔图形转移复印在III‑V族砷化镓背面的光刻胶掩膜上；（4）利用Plasma‑Therm的Versalock 电感耦合等离子体干法刻蚀机进行背孔刻蚀，之后去除光刻胶并进行表面清洁处理即可，干法刻蚀的工艺参数为：反应气体Ar/Cl2/BCl3，其中 Cl2 所占的体积百分比为20~80%，气压：8~25mTorr，反应气体总流量：100~450sccm，电感耦合功率：600~1300W，射频偏压功率：50~150W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
