[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610253781.4 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870166B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 汪耀祖 | 申请（专利权）人： | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓磷异质结双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层（1）、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层（2）、轻掺杂集电区层（3）、基区层（4）、轻掺杂铟镓磷发射区层（5）和重掺杂发射帽层（6），所述轻掺杂铟镓磷发射区层（5）厚度为470‑530埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为2.8E17 cm‑3‑3.2E17 cm‑3，所述重掺杂铟镓磷蚀刻终止层（2）厚度为180‑220埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E18 cm‑3，所述轻掺杂铟镓磷发射区层（5）的极边钝化，轻掺杂铟镓磷发射区层（5）台面边缘和基区层（4）边缘之间的距离为0.5‑1µm，铟镓磷异质结双极型晶体管表面设有氮化硅钝化保护薄膜（7），所述重掺杂次集电极区层（1）从下至上依次包括第一次集电极区层和第二次集电极区层，第一次集电极区层为1800‑2200埃米厚度无掺杂的AlGaAs层，第二次集电极区层为5300‑5700埃米厚度的GaAs层，第二次集电极区层采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm‑3，所述轻掺杂集电区层（3）从下至上依次包括第一集电极区层、第二集电极区层和第三集电极区层，第一集电极区层为480‑520埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为4.0E18cm‑3‑7.0E18 cm‑3；第二集电极区层为2800‑3200埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为3.8E16 cm‑3‑4.2E16 cm‑3；第三集电极区层为7000‑7600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为1.3E16 cm‑3‑1.7E16 cm‑3，所述基区层（4）为1100‑1200埃米厚度的GaAs层，采用C掺杂的P+，掺杂浓度为3.8E19 cm‑3‑4.2E19 cm‑3。
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