[发明专利]基于弛豫GeSn材料的光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括衬底、弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区、保护层和金属电极。弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区均采用GeSn材料；发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在器件的外围。本发明通过在衬底和n+型区之间插入一层Sn的组份高于n+型区、光吸收区、p+型区GeSn合金的GeSn层作为应变弛豫层，使得采用该材料生长方法和结构的光电探测器较于传统GeSn探测器有着相同Sn组份下更好的光电特性和更宽的探测范围。

主权项

一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括：衬底(1)、n+型区(3)、光吸收区(4)、p+型区(5)、保护层(6)以及金属电极(7)；其特征在于，所述的衬底(1)和n+型区(3)之间设置有弛豫层(2)，所述的弛豫层(2)、n+型区(3)、光吸收区(4)、p+型区(5)在衬底上依次由下至上竖直分布，所述的保护层(6)环绕覆盖在光电探测器的四周；所述的弛豫层(2)、n+型区(3)、光吸收区(4)、p+型区(5)均采用通式为GeSn的IV族复合材料，所述的弛豫层(2)中GeSn合金的Sn的组份高于n+型区(3)、光吸收区(4)、p+型区(5)中GeSn合金的Sn的组份。