[发明专利]发光二极管芯片在审
申请号: | 201610255191.5 | 申请日: | 2016-04-22 |
公开(公告)号: | CN106067496A | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 郭祐祯;赖腾宪;康凯舜;兰彦廷;黄靖恩;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管芯片,包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上。电流阻挡层夹于电流分散层与第二型掺杂半导体层之间。第二电极配置于电流分散层上并与第二型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层具有面向半导体组件层的第一表面、背向半导体组件层的第二表面以及第一斜面。第一斜面连接于第一表面与第二表面之间且相对于第一表面与第二表面倾斜。本发明提供的多种发光二极管芯片具有优良的性能。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:半导体组件层,包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层,其中所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间;第一电极,与所述第一型掺杂半导体层电性连接;电流阻挡层,配置于所述第二型掺杂半导体层上;电流分散层,所述电流阻挡层夹于所述电流分散层与所述第二型掺杂半导体层之间,其中所述电流阻挡层具有面向所述半导体组件层的第一表面、背向所述半导体组件层的第二表面以及第一斜面,所述第一斜面连接于所述第一表面与所述第二表面之间且相对于所述第一表面与所述第二表面倾斜;以及第二电极,配置于所述电流分散层上并与所述第二型掺杂半导体层电性连接。
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