[发明专利]钴深蚀刻

摘要

本发明涉及钴深蚀刻。提供了蚀刻衬底上的钴的方法。一些方法包括将所述衬底暴露于含硼卤化物气体和添加剂，以及将所述衬底暴露于活化气体和等离子体。相比于在金属的表面上沉积的含硼卤化物材料层，添加剂促使在掩模的表面上选择性地沉积较厚的含硼卤化物材料层。添加剂包括H₂、CH₄、CF₄、NF₃、以及Cl₂。含硼卤化物气体包括BCl₃、BBr₃、BF₃、和BI₃。暴露可以执行两个或多个循环，在该两个或多个循环中，每一暴露的持续时间和偏置功率是可变的。

主权项

1.一种处理在室内的衬底的方法，该方法包括：(a)将所述衬底暴露于含硼的卤化物气体和选自由含氢气体和含卤素气体组成的组的添加剂，保持足够的持续时间，以足以选择性地在所述衬底上的掩模的表面上沉积第一层含硼的卤化物材料和在所述衬底上的金属的表面上沉积第二层含硼的卤化物材料，其中所述第一层比所述第二层厚，以及(b)将所述衬底暴露于活化气体和活化源，其中所述活化源电离所述活化气体以形成经活化的活化气体以与所述衬底反应。